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概述用于制造 300mm 硅片的真空加熱器基座。真空中溫度需要~650°C，304不銹鋼材料，底部有2.75 CF法蘭。用于提升晶圓的三個(gè)小頂面臺(tái)階和一個(gè)三銷放置位置以防止晶圓從加熱器上滑落。 |
特征
- 溫度650℃-700℃
- CF 2.75 底部真空法蘭，底座式
- 氦氣組裝完成時(shí)泄漏率為 1 x 10 -9 cc/sec He
- 加熱器頂部與 CF 法蘭之間的熱斷裂
- 內(nèi)置熱電偶，用于過溫保護(hù)或控制未接地
- 用于讀取未接地底部溫度的附加 TC
- 1900 瓦 (± 10%)，240 伏
- 組件底部的安裝螺紋
- 材質(zhì)：304不銹鋼
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