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于2012年,專注大中型企業電熱產品生產國家專利技術 產品質量有保障
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晶圓加熱器

圣柏林為半導體行業的各種晶圓加工應用提供高端加熱解決方案,包括薄膜沉積系統(例如 CVD、  PVD、ALD)。我們與 陶瓷供應商合作提供適合關鍵條件的礦物絕緣晶圓加熱器(也稱為基板加熱器或壓板加熱器),其規格可滿足這些工藝的特殊和多樣化需求。完全定制的基材加熱器通常是最佳解決方案,但我們還提供一系列標準盤式加熱器。無論客戶選擇什么,我們的產品和建議都值得信賴,通過確保最佳的溫度均勻性來提高整體工藝穩定性。

產品概要

  • 最佳溫度均勻性
  • 適用于高達 1000°C 的熱處理
  • 精確控制過程溫度
  • 降低污染風險
  • 氣密密封的電子連接
  • 通過氦氣泄漏檢查確保真空完整性

晶圓加熱器的類型

(礦物絕緣)晶圓加熱器的選擇取決于所需的應用。由于薄膜沉積工藝的高度專業化和關鍵性,我們的加熱解決方案通常是定制的,以考慮所有工藝參數和所需的最終結果。我們的重點是以下類別的加熱器:

  • 一系列標準盤式加熱器
    • 直徑5厘米至16厘米
    • 提供通用支架,允許客戶將圓盤螺紋連接或焊接到其特定的固定裝置中
  • 定制基材/壓板加熱器
    • 與客戶共同設計,在尺寸、形狀、護套材料等因素方面完全適合應用環境

無論您在 圣柏林 選擇哪種加熱器,我們產品的高質量和顧問的專業知識都意味著可以確保熱均勻性,這對于薄膜沉積系統至關重要。

使用 mi 加熱的半導體晶圓

晶圓加熱器的用途是什么?

晶圓加熱器主要用于薄膜沉積系統,特別是 半導體行業 ,但也用于太陽能電池板、納米技術、薄膜沉積系統以及 光刻、退火和光學器件行業。在這些真空工藝中,超?。ㄓ袝r只有幾個原子厚)涂層被施加到真空中的表面。使用的技術多種多樣,所有這些都需要不同的 基板加熱元件,其特性和設計要與工作溫度和沉積材料的類型相匹配。

我們的晶圓加熱器用于以下工藝:

  • ALD(原子層沉積)200°C 至 400°C
  • 900°C 以上的 CVD(化學氣相沉積)
  • PVD(物理氣相沉積)200°C 至 400°C
  • PLD(脈沖激光沉積)500°C
  • PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)200°C 至 400°C
  • 濺射(用高能粒子轟擊基材進行鍍膜)350°C

晶圓加熱器可以直接影響沉積薄膜的性能,包括對粘附力和化學反應的影響。它們對于確保加熱均勻性以使薄膜均勻沉積至關重要。

 

規格及物理性能

為了努力確保晶圓加熱器完美適應每種應用,圣柏林 和/或 圣柏林 專家將考慮許多變量和規格:

  • 不同類型的基材加熱元件有各種(可定制的)形狀、尺寸和長度。
  • 電氣連接是密封的。密封件的選擇取決于真空度和化學品/污染物的存在。
  • 圣柏林 使用氦氣泄漏檢查來確保真空完整性
  • 真空法蘭(“O”形環)可用于連接真空外部的電源和傳感器電纜。我們的 金屬陶瓷加熱連接器 也是這方面值得考慮的有用配件。
  • 熱熱段和冷熱段可定制。
  • 可以提供焊接外護套,以最大限度地減少危險環境中的污染。例如,不銹鋼或 Inconel 600。
  • 可以包含內部熱電偶以精確監控所產生的熱量。

所有這些可能性意味著我們可以提供耐氧化、惰性、還原和(高)真空環境的晶圓加熱器。我們的礦物絕緣晶圓加熱器的溫度范圍非常寬,使其適合所有沉積工藝,甚至高達 1000°C。此外,得益于護套,晶圓加熱器具有高度響應性和出色的機械強度。 圣柏林 Industries 遵守嚴格的質量測試要求。

 
 

卡盤加熱器和晶圓加熱器

晶圓卡盤本質上是一種在制造過程中用于固定和固定半導體晶圓的工具??ūP加熱器是一種晶圓加熱器,具有在加熱過程中將晶圓固定到位的機制。卡盤加熱器的主要目的是確保晶圓處于沉積、蝕刻、光刻和退火等特定工藝的最佳溫度。

卡盤加熱器以多種方式集成到晶圓卡盤中。我們為其提供嵌入式加熱元件。這些是直接集成到卡盤主體中的加熱元件。它們可以在卡盤表面提供均勻的加熱,這對于將晶圓保持在均勻的溫度至關重要。
圣柏林的品質和服務
晶圓加熱器系列由圣柏林獨立開發提供 。他們在加熱領域擁有數十年的經驗,是我們最長期的合作伙伴之一。 圣柏林與陶瓷供應商 建立的合作伙伴關系可確保為設計定制加熱解決方案或調整電流范圍以滿足特定應用的需求提供全面的技術支持。
事實上,圣柏林向國內領先的半導體公司供貨的原因之一是我們積極支持新型定制加熱產品的開發。特別是對于溫度均勻性至關重要的基板加熱器,圣柏林 不斷進行研究,不斷改進熱均勻性解決方案(例如多區域或定制基板散熱器)。


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